Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET)

Autor: Roger Morrison
Fecha De Creación: 24 Septiembre 2021
Fecha De Actualización: 1 Mes De Julio 2024
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Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) - Tecnología
Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) - Tecnología

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Definición: ¿Qué significa el transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET)?

Un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) es un tipo de transistor que puede controlar señales electrónicas. El principio básico de un MOSFET es que los electrones (portadores de cambio) fluyen a lo largo de los canales; La conducción de un MOSFET está determinada por el ancho del canal que se puede variar a través de puertas (electrodos).


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Techopedia explica el transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET)

Un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal se usa más comúnmente para amplificar o cambiar señales electrónicas variando la corriente a través de ellas. Se utilizan en equipos de hardware de red para conmutación de alta velocidad y circuitos integrados en computadoras. Cuanto más amplio sea el canal, mejor se conducirá el transistor. El electrón cargado entra al canal desde el punto fuente y sale a través de un drenaje. Un electrodo de puerta controla el ancho del canal variando el voltaje en y a través de él. La puerta se coloca entre la fuente y el drenaje y está aislada del canal por una capa extremadamente delgada de óxido metálico. El aislamiento evita que la corriente fluya entre la puerta y el canal.